2022中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十五届学术年会及展览会
2022中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十五届学术年会及展览会
合作伙伴列表
 
派恩杰半导体(杭州)有限公司
                               地址:浙江省杭州市萧山区宁围街道悦盛国际中心6F                           
                               电话:0571-88263297      
                               企业邮箱0571-88263297                                
                               网站:
http://www.pnjsemi.com/
企业简介:
派恩杰半导体(杭州)有限公司成立于2018年9月,是全国领先的第三代半导体功率器件供应商。创始人黄兴博士于09年起专注于碳化硅和氮化镓功率器件设计研发,师承IGBT发明人B. Jayant.Baliga及晶闸管发明人 Alex Huang。派恩杰产品有SiC SBD,SiC MOS以及GaN HEMT等,广泛应用于服务器及数据中心电源、新能源汽车、智能电网、5G物联网、工业电机、逆变器等场景和领域。成立仅6个月即完成第一款可兼容驱动650V GaN功率器件;同年发布Gen3技术的1200V SiC MOS产品,技术指标国内领先;2020年公司推出650V、1700V SiC MOS产品,完成三大产品系列布局;2021年公司推出650V、1200V SiC SBD全阵容产品,丰富了650V、1200V、1700V SiC MOS产品线,已发布100余款不同型号功率器件。其中SiC MOS产品已成功导入整车厂,Tier 1厂商。     
 
重点产品介绍:
1、SiC SBD产品
具有极小的反向恢复损耗;
具备高温运行特性;
提高系统效率,降低系统噪声
2、SiC MOS产品
650V-1700V电压平台产品齐全;
HDFM 值优于行业水平50%以上,具备更优的综合性能;
短路能力及门极抗干扰能力达到国际一流水平;
栅氧可靠性达到车规级标准。
3、SiC模块
采用62mm模块封装形式,符合AECQ-101、100%UIS测试、极小的反向恢复损耗、优异的高温特性、抗潮湿能力、卓越的散热能力。
 
产品展示: