2022中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十五届学术年会及展览会

湖南三安半导体

地址：湖南省长沙市岳麓区长兴路399号
电话：0731-85160836
网站：www.sanan-ic.con

企业简介：

湖南三安半导体有限责任公司成立于2020年7月，是三安光电股份有限公司（股票代码：600703）的全资子公司。公司致力于第三代化合物半导体碳化硅及氮化镓材料、外延、芯片及封装的开发，占领第三代半导体核心领域制高点。公司建设的湖南三安半导体项目将率先在国内建立碳化硅研发与生产全产业化基地。

湖南三安半导体项目位于长沙市高新区，总占地面积约1000亩，总投资约160亿元，分两期建设，建设周期为48个月。2021年6月，项目一期已实现点亮试投产。项目全部建成后预计可实现年产值120亿元以上，年税收17亿元，可提供4500个直接就业岗位。

公司主营方向为第三代化合物半导体材料与器件的研发生产，产品主要应用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线通讯、电网等领域。公司凭借完整的碳化硅产业链布局和强大的制造平台，将快速发展成为具有自主知识产权、掌握核心技术与行业话语权、具有重要国际影响力的碳化硅材料与器件产业生产基地。

重点产品介绍：

湖南三安提供碳化硅功率器件和硅基氮化镓功率器件代工服务，制造工艺包含碳化硅SBD，碳化硅MOSFET和氮化镓E-HEMT。

碳化硅二极管产品特性：

• 零反向恢复电流

• 电阻正温度系数特性

• 器件性能能受温度影响小

• 超高开关速度

• 超低开关损耗

• 更小的散热器需求

碳化硅MOSFET产品特性：

• 低电容值，可支持高开关速度

• 更高击穿电压和更低的导通电阻

• 更高的系统效率

• 更小的散热器需求

• 增加应用系统开关频率

氮化镓工艺特性：

• 先进的6寸外延工艺（可扩展至8寸）

• P型栅的单片常关型E-HEMT

• 适配市面主流电压型驱动技术

• 复杂应用场景下的稳定Ron

• 优异的品质因子: Ron*QG=300mΩ*nC, Ron*A=300Ω•mm2

产品展示：

重要日期

论文初稿提交截止时间

( ~~2022年6月30日~~ 2022年7月25日 )
工业报告征集截止时间

( ~~2022年7月15日~~ 2022年7月30日 )
专题讲座征集截时间

( ~~2022年7月30日~~ 2022年8月15日 )
论文录用通知时间

( 2022年8月15日 )
论文终稿提交时间

( 2022年9月15日 )
报名系统开放时间

( 2022年8月16日 )
大会时间

( 2022年11月4-7日 )