深圳基本半导体有限公司 |
地址:广东省深圳市南山区高新园区高新南7道数字技术园国家工程实验室大楼B座11层 邮编:518000 电话:0755-22670439 传真:0755-86329521 企业邮箱:info@basicsemi.com 网站:www.basicsemi.com |
企业简介:
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、南京、无锡以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞典皇家理工学院、瑞士洛桑联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的十多位博士。
基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等全产业链,推出通过AEC-Q101可靠性测试的碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET以及汽车级全碳化硅功率模块等系列产品,性能达到国际先进水平,产品广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。
基本半导体与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心,是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一,获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心。公司累计获得专利授权百余项,荣获中国专利优秀奖、深圳市专利奖、2020“科创中国”新锐企业、“中国芯”优秀技术创新产品奖、中国创新创业大赛专业赛一等奖等荣誉。
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重点产品介绍:
碳化硅肖特基二极管
基本半导体自主研发650V/2~40A、1200V/2~40A全电流电压等级碳化硅肖特基二极管。该系列产品具有反向漏电低、正向导通压降低、抗浪涌电流能力高、无反向恢复现象等特点,性能达到行业先进水平。
碳化硅MOSFET
基本半导体自主研发的1200V碳化硅MOSFET具有导通电阻低、温度特性优良和开启电压高等特点。其中TO-247-4封装碳化硅MOSFET采用辅助源极连接方式,可显著提升器件的开关性能,减少开通损耗(Eon)和关断损耗(Eoff),并使栅极波形得到较大改善。
汽车级全碳化硅功率模块
汽车级全碳化硅功率模块是基本半导体为新能源汽车主逆变器应用需求而研发推出的系列功率模块产品,包括半桥MOSFET模块PcoreTM2、三相全桥MOSFET模块PcoreTM6、塑封单面散热半桥MOSFET模块PcellTM等,采用银烧结技术等基本半导体最新的碳化硅MOSFET设计生产工艺,综合性能达到国际先进水平,通过提升动力系统逆变器的转换效率,进而提高新能源汽车的能源效率和续航里程。
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产品展示:
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论文初稿提交截止时间
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2022年6月30日 2022年7月25日
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工业报告征集截止时间
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2022年7月15日 2022年7月30日
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专题讲座征集截时间
(
2022年7月30日 2022年8月15日
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论文录用通知时间
( 2022年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2022年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2022年8月16日 )
大会时间
( 2022年11月4-7日 )