2022中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十五届学术年会及展览会

罗姆半导体集团

地址：深圳市福田区深南大道2007号金地中心三楼
电话：13816681501
网站：https://www.rohm.com.cn/

企业简介：

罗姆（ROHM）成立于1958年，由起初的主要产品-电阻器的生产开始，历经半个多世纪的发展，已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是：“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献”。

罗姆的生产、销售、研发网络分布于世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。

重点产品介绍：

第4代SiC MOSFET

罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET，是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品，目前不仅可供应裸芯片，还可供应分立封装的产品。该产品有助于实现车载逆变器和各种开关电源等各种应用的小型化和低功耗。

特点

1.在不牺牲短路耐受时间的前提下实现业内超低导通电阻

在第4代SiC MOSFET中，通过进一步改进罗姆自有的双沟槽结构，成功地在不牺牲主驱逆变器等要求的短路耐受时间的前提下，使导通电阻比以往产品降低约40%。作为SiC MOSFET，实现了业界超低的导通电阻。

2.通过大幅降低寄生电容，实现更低开关损耗

第4代SiC MOSFET，通过大幅降低栅漏电容（Cgd），成功地使开关损耗比以往产品降低约50％。

3.支持15V栅源驱动电压，使应用产品的设计更容易

在MOSFET中，需要在器件ON时向晶体管的栅极施加一定量的电压。除了到第3代SiC MOSFET为止所支持的18V栅源驱动电压（Vgs）外，第4代SiC MOSFET还支持更容易处理的15V栅源驱动电压，可与IGBT一起用来设计驱动电路（栅极驱动电路）。

产品展示：

重要日期

论文初稿提交截止时间

( ~~2022年6月30日~~ 2022年7月25日 )
工业报告征集截止时间

( ~~2022年7月15日~~ 2022年7月30日 )
专题讲座征集截时间

( ~~2022年7月30日~~ 2022年8月15日 )
论文录用通知时间

( 2022年8月15日 )
论文终稿提交时间

( 2022年9月15日 )
报名系统开放时间

( 2022年8月16日 )
大会时间

( 2022年11月4-7日 )