2022中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十五届学术年会及展览会

无锡新洁能股份有限公司

地址：无锡市新吴区电腾路6号
电话：0510-85629718
网站：www.ncepower.com

企业简介：

无锡新洁能股份有限公司（证券代码：605111）成立于2013年1月，注册资本为14,282万元，拥有新洁能香港、电基集成以及金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业，2016年以来连续五年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司主导产品是功率MOSFET，细分领域市场占有率 15.2%（国内同行第三）。

公司是国家高新技术企业，建有江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心、江南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目荣获2020年度国家技术发明奖二等奖、2019年度江苏省科学技术一等奖。公司拥有140项专利，其中发明专利39项；同时公司参与在IEEE TDMR等国际知名期刊中发表论文13篇，其中SCI收录论文7篇。

重点产品介绍：

Trench MOSFET产品通过优化器件结构设计，推出12V~200V沟槽型功率MOSFET（N和P沟道）。产品采用自主创新技术，率先在国内知名12寸晶圆厂代工，采用更加先进的制造工艺以及知名封装厂封装技术，确保产品具有更优的EAS及ESD能力，更低的导通电阻，更优的开关特性，更优异的可靠性。

SGT MOSFET系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术，全面提升器件的开关特性和导通特性，同时降低特征导通电阻和栅极电荷，导通电阻温度特性更佳，可有效控制器件导通电阻随温度上升的幅度，保障器件高温下的电流能力和抗冲击特性。

SJ MOSFET 产品进一步降低产品导通电阻和栅极电荷，更利于提高系统效率，同时，该系列产品采用自主创新技术，优化了器件开关特性，使其在系统应用中具有更好的EMI表现，为系统设计提供更大的余量。

IGBT是三极管饱和压降低，载流密度大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

产品展示：

重要日期

论文初稿提交截止时间

( ~~2022年6月30日~~ 2022年7月25日 )
工业报告征集截止时间

( ~~2022年7月15日~~ 2022年7月30日 )
专题讲座征集截时间

( ~~2022年7月30日~~ 2022年8月15日 )
论文录用通知时间

( 2022年8月15日 )
论文终稿提交时间

( 2022年9月15日 )
报名系统开放时间

( 2022年8月16日 )
大会时间

( 2022年11月4-7日 )